Небуферезированная память Patriot DDR4 PSD44G213381H предоставляет качество работы, надежность и производительность - основные требования для современных компьютеров. Этот модуль емкостью 4 ГБ, спроектирован для работы на частоте 2133 МГц PC4-17000 и таймингах CAS 15 для лучшего отклика системы при использовании необходимых приложений. Модули памяти Patriot изготовлены из материалов высочайшего качества и протестированы вручную. Patriot заверяет, что каждый модуль памяти соответствует и превышает стандарты отрасли: апгрейд безо всяких замешательств. Как собрать игровой компьютер. Статья OZON Гид
Вес: **45**
Ширина упаковки: **50**
Высота упаковки: **20**
Глубина упаковки: **160**
Тип: **Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти**
Тип памяти: **DDR4**
Частота: **2133 МГц**
Стандарт памяти: **PC4-17000 (2133 МГц)**
Емкость одного модуля: **4 ГБ**
Суммарный объем памяти: **4 ГБ**
Форм-фактор: **DIMM 288-pin**
tCL (задержка сигнала CAS): **15 тактов**
Поддерживаемый метод контроля ошибок: **non-ECC**
Поддерживаемая буферизация памяти: **Unbuffered**
Напряжение питания: **1.2 В**
Комплектация: **RTL**
Особенности памяти: **Радиатор**
Небуферезированная память Crucial DDR3L предоставляет качество работы, надежность и производительность, требуемую для современных компьютеров сегодня. Объем модуля памяти в 8 ГБ позволит свободно работать со стандартными, офисными и профессиональными ресурсоемкими программами, а также современными требовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1600 МГц и пропускной способности, достигающей до 12800 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Тайминг CL-11 гарантирует быструю работу системы. Как собрать игровой компьютер. Статья OZON Гид
Вес: **100**
Ширина упаковки: **60**
Высота упаковки: **15**
Глубина упаковки: **180**
Тип: **Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти**
Тип памяти: **DDR3L**
Частота: **1600 МГц**
Стандарт памяти: **PC3-12800 (1600 МГц)**
Емкость одного модуля: **8 ГБ**
Суммарный объем памяти: **8 ГБ**
Форм-фактор: **DIMM 240-pin**
tCL (задержка сигнала CAS): **11 тактов**
Поддерживаемый метод контроля ошибок: **non-ECC**
Поддерживаемая буферизация памяти: **Unbuffered**
Напряжение питания: **1.35 В**
Комплектация: **RTL**
