От издателя
Модуль оперативной памяти Samsung M378A5244CB0-CRC предоставляет качество работы, надежность и производительность, требуемую для современных компьютеров сегодня. Обеспечивает увеличенную рабочую частоту при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,2 В. Этот модуль, емкостью 4 ГБ, спроектирован для работы на частоте 2400 МГц PC4-19200 при таймингах CAS 17. Отличные характеристики, которые смогут удовлетворить потребности большинства пользователей.
Вес: 25
Ширина упаковки: 60
Высота упаковки: 40
Глубина упаковки: 200
Тип: Модули памяти (RAM),Модуль оперативной памяти
Тип памяти: DDR4
Частота: 2400 МГц
Стандарт памяти: PC4-19200 (2400 МГц)
Емкость одного модуля: 4 ГБ
Суммарный объем памяти: 4 ГБ
Форм-фактор: DIMM 288-pin
tCL (задержка сигнала CAS): 17 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS): 17 тактов
tRP (время подзарядки строки): 17 тактов
Поддерживаемый метод контроля ошибок: non-ECC
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация: RTL
Дополнительно
Код производителя: M378A5244CB0-CRC
Производитель: Samsung