Российские ученые создали наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные ускорить работу высокочастотных микросхем.
Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных полупроводников, обычно используемых в электронике.
Сотрудники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вместе с коллегами из Института физики металлов СО РАН смогли решить проблему увеличения механического напряжения кристаллической решётки при увеличении содержания индия в активном токоведущем слое материала.
Полная версия статьи доступна на сайте «Умная страна»
