Корпорация Intel объявила о том, что ее будущие процессоры, начиная с семейства процессоров на базе 45-нанометровых транзисторов с диэлектриком из нового материала High-k и металлическим затвором (далее Hi-k), совсем не будут содержать свинца. К этому семейству относятся модели процессоров нового поколения, которые будут выпускаться под торговыми марками Intel® Core™ 2 Duo, Intel® Core™ 2 Quad и Intel® Xeon®. Корпорация Intel планирует начать выпуск своей продукции с применением 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.
"Intel занимает активную позицию в области защиты окружающей среды. Мы уделяем внимание всем аспектам этой проблемы: от внедрения бессвинцовой пайки и повышения эффективности использования электроэнергии в нашей продукции до снижения выбросов загрязняющих веществ в атмосферу и повторного использования воды и других материалов в производственном цикле", - заявил Нассер Грей (Nasser Gray), вице-президент корпорации Intel и директор подразделения Technology and Manufacturing Group по комплексным испытаниям и развитию технологий.
Свинец используется в различных корпусах микроэлектронных компонентов, а также в контактах, которые соединяют кристалл микропроцессора с корпусом. Корпус служит для защиты кристалла от повреждений, а также для подключения процессора к системной плате. Для определенных сегментов рынка - например, для мобильных систем, настольных ПК и серверов - используются корпуса различных типов. Существуют корпуса со штыревыми контактами, с шариковыми контактами и с контактными площадками. Все корпуса для процессоров Intel, созданных по 45-нанометровой технологии Hi-k, не будут содержать свинца. В 2008 году корпорация также планирует отказаться от использования свинца и при производстве своих наборов микросхем, создаваемых по 65-нанометровой производственной технологии.
Процессоры Intel, которые будут создаваться по 45-нанометровой технологии, не только не содержат свинца, но и благодаря полупроводниковой технологии Hi-k позволяют значительно уменьшить ток утечки транзисторов. В результате открываются возможности для создания высокопроизводительных процессоров с меньшей потребляемой мощностью. В 45-нанометровой производственной технологии Hi-k также применяется напряженный кремний третьего поколения. Этот материал в сочетании с диэлектриками low-k позволяет увеличить управляющий ток транзисторов и уменьшить емкость внутрикристальных соединений. При этом повышается производительность процессора и снижается энергопотребление. В конечном итоге на базе семейства процессоров Intel, созданных по 45-нанометровой технологии Hi-k, можно будет создавать более удобные, компактные и энергосберегающие настольные ПК, ноутбуки, мобильные интернет-устройства и серверы.
