Корпорации Intel и Micron Technology, Inc. объявили о том, что их совместное предприятие IM Flash Technologies приступило к выпуску опытных партий передовых многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND на основе 50-нанометровой производственной технологии.
Размеры микросхемы и ячеек памяти в новых флэш-компонентах MLC NAND идеально подходят для использования в современных вычислительных и бытовых электронных устройствах, которые становятся все более компактными и эффективными. Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями.
Новые модули MLC NAND стали результатом продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты значительные успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.
"Всего за один год компании Micron и Intel смогли разработать лучшую в отрасли флэш-память класса NAND на базе технологии MLC. Мы активно развивали сеть заводов, которые сегодня уже выпускают продукцию для наших заказчиков, - заявил главный директор компании Micron по операциям Марк Даркан (Mark Durcan). - Мы гордимся полученными результатами и надеемся закрепить успех в следующем году".
"Наше совместное с компанией Micron предприятие за первый год работы достигло таких результатов в развитии передовой отраслевой архитектуры, которые превзошли все ожидания, - отметил Рэнди Вильхельм (Randy Wilhelm), вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер подразделения NAND Products Group. - В июле прошлого года компании Intel и Micron первыми в отрасли представили образцы модулей класса NAND на базе 50-нанометровой технологии SLC. Развитие самой передовой в отрасли архитектуры на базе 50-нанометровой технологии MLC - это еще одно доказательство плодотворности нашего сотрудничества в области разработок и производства".
Совместное предприятие IM Flash, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт. Вирджиния), с февраля приступило к производству продукции с использованием 300-миллиметровых подложек на своем заводе в г. Леи (шт. Юта). Кроме того, успешно реализуются планы по строительству нового производственного комплекса IM Flash в Сингапуре в соответствии с недавним заявлением о расширении деятельности предприятия в этой стране.
